LEE Han-Bo-Ram, Junho Cheo, hyeongjun Kim, Oil Kwon
Abstract
본 발명은 희토류 산화물 박막을 이용한 표면 개질방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 원자층 증착법(PE-ALD)을 이용하여 무기물(Si,SiO2,Pt) 기판에 희토류 산화물(Y2O3)을 소정 두께로 증착함으로써, 고온에서도 안정적으로 소수성 표면을 유지할 수 있고, PE-ALD 공정에 의한 박막 성정시 발생하는 기판의 데미지를 최소화할 수 있으며, 구체적인 하부 기판의 소수성 특성에 따라 증착 표면의 최종 소수성 특성을 적절히 조절할 수 있는 희토류 산화물 박막을 이용한 표면 개질방법, 및 이에 따라 표면 개질된 소수성 기판에 관한 것이다.
