Han-Bo-Ram Lee , Hyungjun Kim , Bo-Eun Park , ll-kwon Oh
Abstract
본 발명은 이트륨 산화물이 도핑된 지르코늄 산화물의 박막에서 이트륨 산화물의 비율 및 지르코늄 산화물의 증착 비율을 조절하여 전기 소자의 전기적 특성을 향상시킨 MIM 커패시터용 전기소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 증착법에 의한 수퍼 사이클은 별도의 공정 과정 없이 균일하게 도핑된 산화물 박막의 생산이 가능하게 하였고, 기존의 High-K 기반의 MIM 커패시터에 적용하여 전기적 특성이 개선되어 종래의 MIM 커패서터에 이용되는 기술적 한계가 극복되었으며, 본원 발명의 MIM 커패서터 전기소자를 이용하여 미래 전기소자의 소형화에 확대 적용가능하다.
